“台积电使用2nm进步神速或使用绕栅晶体管技术”

本篇文章438字，读完约1分钟

近日，在苹果公司发布新一代ipadair，搭载台湾积体电路制造5纳米工艺a14解决方案后，台湾积体电路制造再次引起业界关注。 据国外媒体报道，台湾积体电路制造在5纳米工艺中大放异彩，下一步将把要点迅速发展到3纳米和2纳米工艺。

台湾积体电路制造使用2纳米迅速进步，或使用带栅极的晶体管技术。

上个月，台湾积体电路制造在技术论坛上公布了5nm、4nm、3nm工艺的新进展，表明3nm工艺的研制正在按计划进行，并将继续使用成熟的鳍形场效应晶体管技术。 但是，最近，比3nm更先进的2nm工艺也逐渐浮出水面。

产业链信息人士表示，台湾积体电路制造目前2纳米工艺进展迅速，超出预期。 2nm采用的不是成熟的场效应晶体管技术( finfet )，而是栅极周围晶体管技术) gaa )。

在上个月的科技论坛上，台湾积体电路制造副总裁kevinzhang也在录制视频中表示，新的台湾研发中心将运营先进的生产线，投入8000名工程师，克服2纳米工艺的技术难题。